黑硅太陽(yáng)電池
在晶硅材料表面制備一層納米量級的納米絨面，幾乎能陷住所有可見(jiàn)光，外觀(guān)為黑色的新型材料，被稱(chēng)為黑硅材料。黑硅太陽(yáng)電池具有一定高寬比的納米絨面，光相當于入射到一個(gè)沒(méi)有明顯界面的介質(zhì)，幾乎無(wú)反射，電池表面呈黑色。
相比于常規電池的減反（微米絨面＋減反層），用黑硅制備的黑硅太陽(yáng)電池陷光光譜范圍寬（300～2500納米）、對入射光的接受角寬，從而更有利于提高實(shí)際組件的光電轉換效率。由于納米結構表面過(guò)于尖銳，器件上表現為電流的提高，但是低的電學(xué)特性使得該結構器件的效率并不高，后續還需繼續平衡電池的光學(xué)和電學(xué)特性。作為黑硅電池的關(guān)鍵材料黑硅，最初是美國哈佛大學(xué)的團隊在1999年發(fā)現的。他們在研究高能激光對類(lèi)金屬表面的催化反應時(shí)發(fā)現在密閉低壓的SF6氣氛中采用超短脈沖激光對硅片表面進(jìn)行高能輻照，硅片表面的形貌形成了尖錐狀類(lèi)金字塔結構。所制備的樣品可以吸收95%以上的可見(jiàn)光，其表面的反射率極低，導致該樣品在肉眼下呈黑色，故稱(chēng)黑硅。黑硅的制備方法主要有激光刻蝕法、等離子體干法刻蝕法和金屬催化化學(xué)刻蝕法。其中，金屬催化化學(xué)刻蝕法主要采用如Ag、Au、Cu等具有催化功能的金屬粒子隨機附著(zhù)在硅表面，金屬粒子為陰極，硅為陽(yáng)極，同時(shí)在硅表面構成微電化學(xué)反應通道，在金屬粒子下方通過(guò)化學(xué)溶液快速刻蝕硅基底形成納米結構。
免責聲明：本站詞條系由網(wǎng)友創(chuàng )建、編輯和維護，內容僅供參考。
以上內容均為商業(yè)內容展示，僅供參考，不具備專(zhuān)業(yè)問(wèn)題解決服務(wù)，
如果您需要解決具體問(wèn)題（尤其在法律、醫學(xué)等領(lǐng)域），建議您咨詢(xún)相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)人士。
如您發(fā)現詞條內容涉嫌侵權，請通過(guò) 948026894@qq.com 與我們聯(lián)系進(jìn)行刪除處理！
