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創(chuàng )建的詞條

白馬之盟

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-26 10:39
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摘要:中國西漢漢高祖劉邦登基后與群臣訂立的盟約,因結盟儀式需刑白馬歃血而得名。 [閱讀全文]

巫蠱之禍

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-26 10:38
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摘要:中國西漢漢武帝后期發(fā)生的一次重大政治事件,是漢朝廷內外矛盾斗爭持續深化的結果。 [閱讀全文]

上林三官

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-26 10:36
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摘要:中國西漢漢武帝時(shí)設置的官方鑄錢(qián)官署,隸屬水衡都尉。因設在上林苑中,故名。 [閱讀全文]

博浪沙椎擊

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-26 10:35
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摘要:秦統一六國后,韓國后裔張良在博浪沙狙擊秦始皇的刺殺行動(dòng)。 [閱讀全文]

望夷宮之變

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-26 10:34
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摘要:秦二世三年(前207),丞相趙高與咸陽(yáng)令閻樂(lè )、郎中令趙成等人合謀殺秦二世于望夷宮的歷史事件。又稱(chēng)望夷之禍。 [閱讀全文]

海洋淺地層測量?jì)x

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-26 10:28
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摘要:利用聲波在水中和水下沉積物內傳播和反射的特性來(lái)探測海底淺部地層剖面結構和構造的儀器設備。是在超寬頻海底剖面儀基礎上的改進(jìn),是研究海底各層形態(tài)構造和其厚度的有效工具。又稱(chēng)次海底剖面儀。 [閱讀全文]

海洋底質(zhì)測量?jì)x器

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-26 10:21
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摘要:對海洋底質(zhì)類(lèi)型、性質(zhì)和分布情況進(jìn)行探測,并通過(guò)現場(chǎng)采樣和室內測試分析來(lái)獲得底質(zhì)分布規律、重要的聲學(xué)力學(xué)特性以及底質(zhì)環(huán)境總體特征等信息的儀器。海底地貌的要素海洋底質(zhì)對于艦船航行、海洋工程以及軍事活動(dòng)具有重要意義。海洋底質(zhì)類(lèi)型多樣、成因復雜、性質(zhì)各異,底質(zhì)環(huán)境特點(diǎn)、變化趨勢以及應用價(jià)值各不相同,因此海洋底質(zhì)測量工作所用到的儀器主要大致可以分為兩種,海上取樣和海上原位測量。常用的海上取樣儀器主要包括底質(zhì)... [閱讀全文]

光伏幕墻

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-25 11:38
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摘要:將光伏發(fā)電組件安裝在建筑物的維護結構外表面來(lái)獲得電力的一種新型的建筑構件。 [閱讀全文]

單晶硅太陽(yáng)電池

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-25 11:37
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摘要:其硅原子呈單晶形態(tài),即晶體內部的硅原子在三維空間有規律地、周期性地排列。整體而言,硅晶體在三維方向上由同一空間格子構成,整個(gè)硅晶體中硅原子在空間的排列長(cháng)程有序。商業(yè)用的單晶硅太陽(yáng)電池光電轉換效率一般在22%左右,實(shí)驗室效率已經(jīng)超過(guò)25%。單晶硅太陽(yáng)電池的工作原理是太陽(yáng)光照在單晶硅太陽(yáng)電池的p-n結上,產(chǎn)生電子-空穴對,在p-n結內建電場(chǎng)的作用下,空穴由n區流向p區,電子由p區流向n區,接通外電路后... [閱讀全文]

交指式背接觸太陽(yáng)電池

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-25 11:36
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摘要:PN結和正負電極均在電池背面,其中正負電極采用交叉排列方式的一種單晶硅太陽(yáng)電池。簡(jiǎn)稱(chēng)IBC太陽(yáng)電池。 [閱讀全文]

多晶硅太陽(yáng)電池

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-25 11:33
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摘要:電池內部硅原子呈多晶形態(tài)的硅太陽(yáng)電池。即晶體硅由許多位向不同的硅晶粒組成,其內部存在著(zhù)多種晶體缺陷。 [閱讀全文]

HIT太陽(yáng)電池

創(chuàng )建者:huhuhu
創(chuàng )建時(shí)間:2025-02-25 11:32
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摘要:在n型非晶硅和/或p型非晶硅與晶硅襯底中間增加非摻雜(即本征)非晶硅薄層的非晶硅/晶體硅異質(zhì)結太陽(yáng)電池。HIT太陽(yáng)電池為其簡(jiǎn)稱(chēng)。 [閱讀全文]

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